VMOS功率场管的外形和内部结构的示意图如图1所示。 图1(b )是p沟道VMOS管的栅极形成为v沟状，因此栅极表面和氧化膜表面的面积大，有利于大电流控制。 由于栅极仍然与漏极、源极绝缘，VMOS管也是绝缘栅场效应管。 漏极d从芯片引出。 与MOS管相比，—源极和两极面积较大，二是垂直导电(MOS管沿表面水平导电)，两者决定了VMOS管的漏极电流ID大于MOS管。 电流ID流从重掺杂m型区域的源极通过p沟道进入轻掺杂N-漂移区域，到达漏极。 该管路耐压高、功率大，广泛用于放大器、开关电源、变频器。 请注意散热器的安装，以免将管路放入烧杯中。
图1 VMOS动力场效应器的外形和内部结构示意图
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根据结构的不同，管子分为两类。
VMOS管，即垂直导电v形槽MOS管；
VDMOS管，即垂直导电双扩散MOS管。
这些结构分别如图1-15(a )、(b )所示，(a )是VVMOS结构剖视图，(b )是VDMOS结构剖视图. 以VVMOS的结构为例，说明VMOS气管的结构。
获得垂直沟道的一种方法是在硅表面形成v形槽，开始时在n衬底上生成n外延
层在该外延层内进行一次p型沟道体扩散，然后进行一次n源区扩散。 然后蚀刻v形槽，使其延伸到N-外延层内。 最后生长氧化掩模层。 通过金属化提供栅极和其他必要的连接。 包括n源极区域和p沟道主体连接。
根据导电沟道的不同，VMOS管分为n沟道型和p沟道型两种，可以对应双极晶体管的npn型和pnp型。
作为一个示例，图1-16描绘了n沟道扩展VMOS管的输出特性曲线。 形状上与双极晶体管的输出特性相似。 但是，内涵不同，这是由VMOS管的基本特性决定的。 将栅极/源极电压Ugs作为参数绘制VMOS晶体管的输出特性的各曲线，将基极电流Ib作为参数绘制表面双极型晶体管的输出特性的各曲线。
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